导言：

6月21日消息，据商业和技术资讯电子材料咨询机构《TECHCET》报告显示，年全球电子特气市场营收达63亿美元，预计年将再成长8%，到年年复合成长率高达9%。增长的主要原因归功于半导体产业对于电子特气的需求。随着先进逻辑芯片和新世代存储芯片需求不断增加，蚀刻、沉积、真空腔室清洁及其他应用的特种气体需求将越来越多。

6月21日消息，据商业和技术资讯电子材料咨询机构《TECHCET》报告显示，年全球电子特气市场营收达63亿美元，预计年将再成长8%，到年年复合成长率高达9%。增长的主要原因归功于半导体产业对于电子特气的需求。随着先进逻辑芯片和新世代存储芯片需求不断增加，蚀刻、沉积、真空腔室清洁及其他应用的特种气体需求将越来越多。

近期，近期氦、氖等关键工业气体有供应问题，长远看随着产业需求增加，三氟化氮(NF3)、六氟化钨(WF6)等气体供需平衡可能逐渐改变。另外，俄乌冲突使工业气体供应也面临压力，俄罗斯的氦气和稀有气体出口禁令将延长，造成氦和氖等稀有气体供应短缺。俄乌冲突只是氦、氖短缺问题部分原因，还有设备维护、运输物流、其他氦气产区供应分配等都加剧供应链吃紧。

近几年内新半导体工厂全球设立投产相对有限，除了氦气与氖气，乙硼烷(B2H6)、六氟化钨(WF6)、三氟化氮(NF3)、四氟化碳(CF)等都可能出现供应压力，因为预计需求增长将超过供应量。半导体制造提高晶圆厂生产能力，对光罩至关重要的乙硼烷(B2H6)需求也快速增加。

更多CVD/ALD沉积技术过程添加多图形化和EUV微影曝光，使清洁需求也在增加。报告表示真空腔室清洁用三氟化氮快速成长，预测需求可能超过供应，导致~年三氟化氮供应将吃紧。

报告预计，六氟化钨也可能会在~年出现供应问题，因NANDFlash正往更高堆叠术发展，钨对源极接触、汲极接触之金属填充、金属闸极填充及闸极接触都是必需材料。不过以钼(Mo)取代钨(W)有可能性，有机会避免六氟化钨短缺问题。

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◆资料来源：Techcet

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