应用材料推出运用EUV延展2D微缩与3D环绕闸极晶体管技术

应用材料推出多项创新技术，协助客户运用极紫外光（EUV）持续进行2D微缩，并展示业界最完整的次世代3D环绕闸极（Gate-All-Around，GAA）晶体管制造技术组合。芯片制造商正试图透过两个可相互搭配的途径来增加未来几年的晶体管密度。

一是依循传统摩尔定律的2D微缩技术，使用EUV微影系统与材料工程以缩小线宽。

二是使用设计技术最佳化（DTCO）与3D技术，巧妙地藉由最佳化逻辑单元布局来增加密度，而不需要改变微影间距。这种方法需要使用晶背电源分配网络与环绕闸极晶体管，随着传统2D微缩技术逐渐式微，未来预计能有效提升逻辑单元密度的比率。

这些方法能帮助芯片厂商改善次世代逻辑芯片的功率、效能、单位面积、成本与上市时间（PPACt）。应材资深副总裁暨半导体产品事业群总经理PrabuRaja表示，应材的策略是成为PPACt推动公司（PPACtenablement

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